分子束外延系統(tǒng)（MBE）OCTOPLUS 500 EBV MBE系統(tǒng)是為了在4英寸Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的Si/SiGe材料而研發(fā)的。也可以升級(jí)為6英寸的樣品。腔體也可以裝載2個(gè)電子束蒸發(fā)和8個(gè)束流源或者裝載氣體噴出，或者表面處理。
腔體尺寸： 550 mm ID，液氮冷屏（兼容水冷）
本底真空： < 5 × 10-11 mbar
樣品尺寸： 最大4 英寸，向下兼容小尺寸樣品
加 熱 器： SiC，W等多種類(lèi)型可選，最高溫度達(dá)1500 ℃
源爐法蘭： 8 × DN63CF，2 × DN250CF
應(yīng)用領(lǐng)域： SiGe，金屬，氧化物，二維材料，拓?fù)涑瑢?dǎo)材料等
● 裝有束流源和電子束蒸發(fā)源的SiGe及其他材料的MBE系統(tǒng)
● 理想的Si/SiGe外延生長(zhǎng)或者金屬沉積
● 基片可以是3，4或者6英寸
● 2個(gè)大容量的電子槍源孔
● 8個(gè)束流源或者氣體源孔
● 原位表征能力
● 易于使用和維護(hù)
● 潔凈室裝配和測(cè)試
● 強(qiáng)大的MBE博士專(zhuān)家支持團(tuán)隊(duì)
電子槍產(chǎn)生的電子束流可以通過(guò)四級(jí)質(zhì)量譜儀檢測(cè)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。OCTOPLUS 500 EBV MBE系統(tǒng)是公認(rèn)的非常適合于金屬、磁性材料、氧化物、拓?fù)浣^緣材料及Si/SiGe異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)應(yīng)用研發(fā)與生產(chǎn)。
標(biāo)準(zhǔn)的OCTOPLUS 500 EBV MBE有10個(gè)呈放射狀分布的源孔，我們建議8個(gè)源孔用于束流源、升華源或者相關(guān)組件。2個(gè)DN250CF大的源孔用于電子束蒸發(fā)槍?zhuān)娮邮舭l(fā)也可以是多孔的電子槍-EBVM。快速抽真空進(jìn)樣室配有水平磁力桿傳輸系統(tǒng)，可以在不破壞MBE腔室真空的前提下，簡(jiǎn)便地進(jìn)行樣品傳輸。可以配備RHEED系統(tǒng)原位監(jiān)測(cè)薄膜生長(zhǎng)狀況。
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直達(dá)具體產(chǎn)品分子束外延系統(tǒng)（MBE）、 脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發(fā)源、 離子源?、電子槍
