電子束蒸發(fā)源是為高蒸發(fā)速率的低蒸氣壓材料設(shè)計(jì)的，尤其是高純材料以及難熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半導(dǎo)體材料Si和Ge，典型應(yīng)用于Si-Ge的MBE系統(tǒng).
270°偏轉(zhuǎn)e型電子槍
單坩堝容量：4 cc, 100 cc, 160 cc, 1000 cc；
多坩堝：3 x 15 cc，6 x 15 cc，6 x 8 cc
法蘭尺寸：DN63CF, DN250CF
專為MBE設(shè)計(jì)，UHV兼容，烘烤溫度可達(dá)230℃
德國(guó)Ferrotec公司提供高品質(zhì)多坩堝電子束蒸蒸發(fā)源，適用于各種定制高真空鍍膜系統(tǒng)。
單口水平安裝電子束蒸發(fā)源-EBV是為高蒸發(fā)速率的低蒸氣壓材料設(shè)計(jì)的，尤其是高純材料以及難熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半導(dǎo)體材料Si和Ge，典型應(yīng)用于SiGe的MBE系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
法蘭尺寸：CF150／CF200／CF250
坩堝容量：40/100 cc
燈絲類型：W螺旋線圈，電子發(fā)射燈絲
工作氣壓：1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速電壓：4-10kV
電子束功率：最高10kW(3kW,5kW)
燈絲電流：最高50A
束斑尺寸：直徑約5mm
電子束發(fā)射方式：磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)270°
束斑偏轉(zhuǎn)范圍：x方向±3A，y方向±3A
外部烘烤溫度：200℃
冷卻方式：循環(huán)水冷卻，水流量8l/min，壓力3bar
坩堝：40cm3或100cm3加熱區(qū)域
選配：水冷屏，擋板
單口電子束豎直蒸發(fā)源EBVV是為豎直向預(yù)留法蘭口的超高真空設(shè)備而設(shè)計(jì)，可以滿足豎直安裝。非常適合低蒸氣壓材料，難熔金屬或摻雜，如P，C等；以及新興的高介電材料Al2O3，Pr3O3或者其他氧化物，電介質(zhì)，也可以滿足Si薄膜生長(zhǎng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
法蘭尺寸：CF63／CF100
坩堝容量：4/5 cc
真空腔體內(nèi)長(zhǎng)度：234～400mm
加熱口尺寸：?22mm (15° 錐角) x H 15mm ，?23mm (12°錐角) x H 15mm
外部烘烤溫度：200℃
束斑尺寸：直徑約5mm
束流偏轉(zhuǎn)：270°磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)
水冷：5l/min，壓力約4bar
選配：擋板
多坩堝水平安裝電子束蒸發(fā)源-EBVM是為高蒸發(fā)速率的低蒸氣壓材料設(shè)計(jì)的，尤其是高純材料以及難熔材料，如Mo，Nb，Ta，W，Zr，Al，及半導(dǎo)體材料Si和Ge，典型應(yīng)用于SiGe的MBE系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
法蘭尺寸：CF200／CF250
腔體內(nèi)直徑：195mm/245mm
腔體內(nèi)長(zhǎng)度：對(duì)于4個(gè)8cc坩堝和3個(gè)15cc坩堝：250mm; 對(duì)于6個(gè)8cc坩堝：330mm; 對(duì)于6個(gè)15cc坩堝：350mm
坩堝容量：8cc, 15cc
加熱區(qū)域：直徑30mm(15°傾角)×15mm深度，直徑37mm(15°傾角)×17mm深度
燈絲類型：W螺旋線圈，電子發(fā)射燈絲
外部烘烤溫度：200℃
工作氣壓：1×10-11mbar~1×10-5mbar
加速電壓：4-10kV
電子束功率：最高6kW(3kW,根據(jù)電源功率)
燈絲電流：最高50A
束斑尺寸：直徑約5mm
電子束發(fā)射方式：磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)270°
束斑偏轉(zhuǎn)：x方向±3A，y方向±3A
冷卻方式：循環(huán)水冷卻，水流量6l/min，壓力3bar
選配：水冷屏，擋板
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直達(dá)具體產(chǎn)品分子束外延系統(tǒng)（MBE）、 脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發(fā)源、 離子源?、電子槍
