樣品架可用于III/V族MBE系統(tǒng)，GaN MBE系統(tǒng)，SiC和SiGe MBE系統(tǒng)等。鎢加熱樣品架適用于大多數(shù)高溫材料應用，III/V族材料生長MBE系統(tǒng)中通常使用鉭絲加熱器，SiGe的MBE系統(tǒng)推薦采用熱解石墨加熱器。 若樣品臺需要應用在氧氣的環(huán)境下，則需考慮抗氧壓樣品臺SH-O。
- 適用樣品尺寸：2’’-6’’
- 加熱溫度：800-1200℃（取決于加熱器材質(zhì)）
- 轉(zhuǎn)速0-30 rpm，連續(xù)可調(diào)節(jié)
- 加熱器材質(zhì)：Ta, W, PG, SiC等供選擇
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直達具體產(chǎn)品分子束外延系統(tǒng)（MBE）、 脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發(fā)源、 離子源?、電子槍
