晶體基本特性
晶體取向：
(100), (001), (111), (110) —— 立方晶體和四方晶體
(0001), (1102), (1120), (1010) ——六方晶體
高密勒指數的其他取向襯底或鄰位襯底
取向精度： ± 0.5°，通常 < 0.3°，可按照要求達到更好取向精度。
尺寸：
5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm, 10 mm x 5 mm, 15 mm x 15 mm
12,7 mm x 12,7 mm, 20 mm x 20 mm, 25 mm x 25 mm, ?1", ?2"
橫向公差： +/-0.05 mm
常規厚度：
0.5 mm, 1.0 mm, 最低0.1mm
縱向公差： +/- 0.05 mm，或者更好的公差要求
拋光：
單面或雙面拋光
表面質量：50x 放大鏡下無傷痕
微區粗糙度干涉儀測量
橫向分辨率：0.64 μm，縱向分辨率：0.01 nm理論值
粗糙度: ( λcut off =0.08 mm)
Ra: < 0.5 nm
Rq : < 1.0 nm
Rt : < 2.0 nm
每一批樣品都認證
可以根據用戶要求對晶體側面拋光
Orientation: ± 0.1°
Shape: ±0.05 mm
Flatness: lambda/10
Roughness: <0.5 nm
Parallelism: 5 arcsec
常見晶體種類
SrTiO3，LaAlO3，MgO，NdGaO3，LSAT，MgAl2O4，TiO2，LiNbO3，SrLaGaO4，SrLaAlO4，Nb:SiTiO3，ZrO2:Y，YAG，YAP，GGG，Al2O3，Ce:YAP，SiO2-glass， a-SiO2，PMN-PT
CaF2，MgF2，BaF2，LiF
ZnO，ZnS，CdS，Si/Ge，ZnS，ZnTe，CdTe，CdSe，SiC
埃伯儀器是專業的真空薄膜制備解決方案供應商，主要產品有分子束外延系統（MBE）、 脈沖激光沉積系統（PLD)、 反射式高能電子衍射儀（RHEED)、蒸發源、 電子槍、離子槍等！！
